מספר מוצר של יצרן:
TSM2N7000KCT B0G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM2N7000KCT B0G-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92
מלאי:
12898386
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM2N7000KCT B0G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
300mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.4 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
60 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
400mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-92
חבילה / מארז
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
מספר מוצר בסיסי
TSM2N7000
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM2N7000KCTB0G
TSM2N7000KCT B0G-DG
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
2N7000BU
יצרן
onsemi
כמות זמינה
38857
DiGi מספר חלק
2N7000BU-DG
מחיר ליחידה
0.08
סוג משאב
Similar
מספר חלק
2N7000TA
יצרן
onsemi
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
2N7000TA-DG
מחיר ליחידה
0.07
סוג משאב
Similar
מספר חלק
VN10LP
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
5433
DiGi מספר חלק
VN10LP-DG
מחיר ליחידה
0.26
סוג משאב
Similar
מספר חלק
2N7000-D75Z
יצרן
onsemi
כמות זמינה
8017
DiGi מספר חלק
2N7000-D75Z-DG
מחיר ליחידה
0.08
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
TSM080N03EPQ56 RLG
MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN
TSM4NB60CI C0G
MOSFET N-CH 600V 4A ITO220AB
TSM240N03CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 30V 6.5A SOT23
